巨头转向AI市场，中国存储厂商迅速崛起

2026年初，全球消费电子行业的采购经理们感到不安。由于三星、SK海力士和美光这三大内存厂商将大量产能转移至高带宽内存（HBM）以满足AI计算的需求，通用内存的价格大幅上涨。巨头们认为，HBM的高利润优势使得普通内存显得不再重要，且认为中国厂商由于缺乏极紫外光（EUV）光刻技术，难以参与竞争。然而，不久后，长鑫存储宣布其第五代DRAM平台（G5）实现了规模化生产，完全没有使用EUV的条件下，成功将内存阵列间距缩小至11.95纳米，打破了西方设定的技术壁垒。

HBM的制造极为复杂，需要高层堆叠多个DRAM晶圆，因此生产1GB的HBM所需的晶圆面积是普通内存的3至4倍。这让需要大量产能的通用内存市场出现了显著缺口，原本自信的巨头们没能预料到这给了中国厂商崭露头角的机会。长鑫通过自对准四重图形化（SAQP）技术，在没有EUV的情况下实现了缩小阵列的目标。

长鑫在此基础上不仅提升了晶圆的产量，还显著降低了单颗芯片的成本。2026年上半年，长鑫在科创板的IPO创下历史新高。该公司在DRAM市场的份额迅速提升，成功获得腾讯的长期采购合同。随着市场的变化，昔日的巨头们发现通用内存市场的份额被中国厂商占领了约10%。HBM虽然高价，但通用内存才是数字世界的基础。 龙8头号玩家国际

中国厂商凭借这一机会获得了现金流和供应链经验，为未来的技术发展奠定了基础。此外，虽然光刻机的供应受到限制，长鑫却通过国内设备的需求实现了供应链的自给自足。从专利角度，长鑫已经在早前收购了大量核心技术，并还申请了许多自主专利。现任董事长表示，在接下来的十年里将不转让个人股份，这显示了公司坚定的长远战略。

在过去的三十年中，全球半导体行业的趋势一直是西方国家制定路线图，中国在后面跟随。而长鑫的G5表明，当高墙竖立之时，聪明的企业能够识别机会，在物理规律与商业逻辑之间闪避，开辟出新的道路。